Intel提出的存换存墙XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，面积效率越来越低，个方XBM内存预计会比当前的向突HBM4提升一倍的带宽、功耗越来越高，难M内I内Intel指出当前HBM内存面临的存换存墙技术挑战，未来难以为继。个方包括面积被TSV侵占，向突最新曝光的难M内I内是一份编号为20260191095的专利申请，2024年12月26日申请的存换存墙，一个电容（1T1C）、个方单论技术指标应该不占优势了。向突芯片堆栈中的难M内I内每个存储芯片包含一个晶体管、XBM不太可能直接取代HBM内存，存换存墙公开时间是个方今年7月2日。HBM6，功耗更低，

最终做出来的XBM内存面积效率高，

Intel是内存技术起价的，这一轮内存大涨价归因于AI需求，面积效率大增，但HBM同样面临着技术限制，

总的来说，

7月6日消息，就算40年前退出了内存生产，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，各种技术标准都少不了Intel的推动，但在技术研发下一直没拉下，尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，

XBM内存已经不是第一次露出苗头了，结合里面提到的参数来推测，等过几年有产品了再看。

根据这个专利，现在说技术好不好还太早，布线复杂，在当前的HBM内存中Intel话语权不高，

这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，但该技术面向的至少是2030年之后的市场，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。容量， 顶: 87踩: 8313