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HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙
等过几年有产品了再看。难M内I内一个电容（1T1C）、存换存墙XBM内存预计会比当前的个方HBM4提升一倍的带宽、HBM6，向突芯片堆栈中的难M内I内每个存储芯片包含一个晶体管、现在把它做到后端金属层中，存换存墙公开时间是个方今年7月2日。届时会有HBM5、向突布线复杂，难M内I内各种技术标准都少不了Intel的存换存墙推动，就算40年前退出了内存生产，个方在当前的向突HBM内存中Intel话语权不高，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。难M内I内再通过更多的存换存墙TSV通道来提升总带宽。
个方个方个方这一轮内存大涨价归因于AI需求，功耗越来越高，结合里面提到的参数来推测，XBM内存已经不是第一次露出苗头了，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，但该技术面向的至少是2030年之后的市场，但在技术研发下一直没拉下，
最终做出来的XBM内存面积效率高，
总的来说，功耗更低，现在说技术好不好还太早，
Intel是内存技术起价的，但HBM同样面临着技术限制，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，容量，XBM不太可能直接取代HBM内存，
Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，单论技术指标应该不占优势了。面积效率大增，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。2024年12月26日申请的，后端动态随机存取存储器（DRAM）。而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，包括面积被TSV侵占，尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，未来难以为继。最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，面积效率越来越低，
这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，
根据这个专利，
传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，
7月6日消息，